熔斷器術(shù)語和定義

1、 【熔斷器】：當電流通過規(guī)定值足夠長的時間，通過熔斷一個或幾個成比例的特殊設計的熔體分斷此電流，由此斷開其所接入的電路的裝置。熔斷器由形成完整裝置的所有部件組成。

【熔斷器支持件】：熔斷器底座及載熔件的組合。

【熔斷器底座（熔斷器支架）】：熔斷器的固定部件，帶有觸頭、接線端子。

【載熔件】：熔斷器可運動部分，作載運熔斷體之用。

2. 【熔斷體】：帶有熔體的熔斷器部件，在熔斷器斷開后可以更換。

【熔斷器觸頭】：保證熔斷體與相應的熔斷器支持件之間的電路連續(xù)性的兩個或兩個以上的

導電部件。

3. 【熔體】：當電流通過規(guī)定值經(jīng)過規(guī)定的時間條件下熔化的熔斷體部件。

【接線端子】：與外部電路進行電連接的熔斷器的導電部分。

4、【封閉式熔斷器】：熔體被完全封閉，在額定值范圍內(nèi)熔斷時，不會產(chǎn)生任何有害的外部效應（如由于燃弧而釋出有害氣體或噴出火焰或金屬顆粒）的熔斷體。

5、【限流熔斷器】：在規(guī)定電流范圍內(nèi)，由于熔斷體的熔斷，使電流被限制得顯著低于預期電流峰值的熔斷體。

【“g”熔斷體】：在規(guī)定條件下，能分斷使熔體熔化的電流至額定分斷能力之間的所有電流的限流熔斷體。

【“a”熔斷體】：在規(guī)定條件下，能分斷示于熔斷體熔斷時間－電流曲線上的最小電流至額定分斷能力之間的所有電流的限流熔斷體。

【半導體熔斷體】：在規(guī)定條件下，可以分斷其分斷范圍內(nèi)任何電流的限流熔斷體。

――【“aR”】表示保護半導體設備部分范圍分斷能力的熔斷體。

――【“gR”】表示一般用途和半導體保護全范圍分斷能力的熔斷體，具有低的I2t值；

――【“gS”】表示一般用途和半導體保護全范圍分斷能力的熔斷體，具有低的耗散功率值。

【過電流選擇性】：兩個或兩個以上過電流保護裝置之間的相關(guān)特性配合。當在給定范圍內(nèi)出現(xiàn)過電流時，指定在這個范圍內(nèi)動作的裝置動作，而其他裝置不動作。

【熔斷器系統(tǒng)】：在熔斷體形狀、觸頭型式等方面遵循相同物理設計原則的熔斷器族。

【同一熔斷體系列】：給定尺碼內(nèi)的熔斷體類別，僅特性稍有差別，對于某一給定的試驗，只要試驗其中一個或少數(shù)幾個特定的熔斷體就可代表整個同一熔斷體系列。

【使用類別】：規(guī)定要求的綜合。這些要求于熔斷體得以實現(xiàn)其保護目的的條件有關(guān)，并代表實際應用的一組特性。

【熔斷器的分斷能力】：在給定的使用和性能條件下，熔斷器在規(guī)定電壓下能夠分斷的預期電流值。

【分斷范圍】：熔斷體的分斷能力得到保證的預期電流值范圍。

【截斷電流】：熔斷體分斷期間電流達到的最大瞬時值，由此阻止電流達到最大值。

【截斷電流特性 （允通電流特性）】：在規(guī)定的熔斷條件下，作為預期電流函數(shù)的截斷電流曲線。

【弧前時間（熔化時間）】：從一個足夠分斷熔體的電流出現(xiàn)至電弧產(chǎn)生的瞬間的時間間隔。

【燃弧時間】：熔斷器中電弧產(chǎn)生的瞬間至電弧最終熄滅之間的時間間隔。

【熔斷時間】：弧前時間于燃弧時間之和。

【焦耳積分 （I2t）】：在給定時間間隔內(nèi)電流平方的積分：

［I2t特性］：在規(guī)定的動作條件下作為預期電流函數(shù)的I2t曲線。

【熔斷體額定電流Iｎ】：在給定的條件下，熔斷體能夠長期承載而不使性能降低的電流。

【時間-電流特性】：在規(guī)定的熔斷條件下，作為預期電流函數(shù)的時間（如弧前時間或熔斷時間）曲線。

【熔斷器的電弧電壓】：燃弧期間熔斷器接線端子間出現(xiàn)的電壓瞬時值。

【注明】：上述術(shù)語和定義引自：

1)      《中華人民共和國國家標準“ＧＢ　１３５３９．１－２０１５／ＩＥＣ　６０２６９－１：２００９＂》；

2)       中華人民共和國國家標準“ＧＢ　１３５３９．４－２０１６／ＩＥＣ　６０２６９－４：２０１２＂》。